封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：80V

Id-连续漏极电流：45A

Rds On-漏源导通电阻：11.4mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：25nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：79W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：24S

下降时间：5ns

上升时间：35ns

典型关闭延迟时间：18ns

典型接通延迟时间：12ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：13.5mΩ

IDpuls max：180.0A

VDS max：80.0V

ID max：45.0 A

QG (typ @10V)：19.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.9 K/W

Operating Temperature min max：-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：0.26

Ptot max：79.0W

Polarity：N

Coss：353.0 pF

Ciss：1300.0pF

VGS(th) min max：2.0V 3.5V

VGS(th) (typ) min max：2.8 V 2.0 V 3.5 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs